美国证券交易委员会批准一项临时、有条件的“创新豁免”，允许符合条件的代币化证券交易场所在限定范围内开展代币化股票链上交易，并提出四项约束条件，明确禁止合成代币化股票。SEC主席Paul S. Atkins同时表示，正推进美国股票市场延长至更长时段交易，代币化可能用于实时库存管理。当天市场与行业层面还包括Grayscale对本轮加息的判断、Hyperliquid HIP-3市场份额变化、以太坊Glamsterdam测试进展、Nostra遭预言机攻击，以及MoonPay、Robinhood Chain和Tenka等项目动态。

美国证券交易委员会以临时、有条件的“创新豁免”方式，允许代币化股票在代币化证券交易场所（TSVs）开展有限交易，试点期为 5 年。新框架要求 TSV 为美国主体、实行许可制准入、禁止合成代币，并保留发行人反对权，同时对交易标的、成交量、停牌联动、链上披露和智能合约审计提出具体要求。消息公布后，Robinhood CEO Vlad Tenev 与 AMC CEO Adam Aron 先后表态支持，部分链上相关代币与 DeFi 资产也出现上涨。

韩国半导体产业协会最新评估称，中国存储芯片厂商与领先厂商的技术差距正快速收窄。长江存储在 NAND 闪存方面被指仅落后约 1 年，长鑫存储在 DRAM 和 HBM 方面分别落后约 2 年和 3 年。报道还提到，长鑫存储正推进 HBM3E、HKMG 与新晶圆厂建设，长江存储也在扩充产能。

存储芯片行业在2026年9月初连续出现两项与3D DRAM相关的新进展：AMD披露基于混合键合的3D DRAM实验数据，称能效最高可较传统HBM堆栈提升17倍；北方华创则在IEEE期刊公布下一代3D DRAM制造工艺突破。文章围绕3D DRAM为何成为焦点、三星、SK海力士和美光的技术路线，以及刻蚀、沉积、混合键合等设备环节的重心变化展开。

据朝鲜日报报道，长鑫存储已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产，初期良率停滞在 25%。报道提到，其 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%，后道工序后约 70% 成为最终良品。长鑫存储已向阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业供应少量样品，并持续改善良率。

研究人士 Schulz_Research 表示，中国存储推进已从单一公司模式转向三家分工协作：CXMT 负责 DRAM 晶圆，YMTC 负责 NAND 并在新厂加入 DRAM，XMC 则负责两类产品堆叠。其指出，北京自去年 12 月下旬起实施的新规则要求新工厂设备采购中至少一半为国产设备。YMTC 武汉三期被称为首个通过该规则的先进存储项目，计划于今年晚些时候投产。

三星电子在 SEMICON Taiwan 2026 展前峰会的 Memory Executive Summit 上公开代号为 CUBE 的 3D 内存战略，由副总裁 Choi Jang-seok 说明容量、利用率、带宽与能效四项核心目标。公司同时给出 HBM5、zHBM 与 zNAND-O 的路线图，其中 HBM5 目标性能较 HBM4E 提升 2 倍，zHBM 目标提升至 8 倍，zNAND-O 则面向大型语言模型的高密度存储需求。

P Equity Research 与 SemiAnalysis 研究员 Nick Doyle 等人在 X Space 讨论高带宽闪存 HBF。Nick Doyle 表示，当前仍难判断 HBF 相对 HBM 的成本溢价能收窄到何种程度，耐久性、散热可靠性和量产能力都是关键变量。他认为 HBF 不是 HBM 的替代品，主要面向 AI 推理中低 batch、长上下文的 MoE 模型，NAND 短缺预计将持续至 2028 年，HBF 也可能影响供需格局。